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DOINGTER DOD619B


Produttore
Codice Parte Mfr.
DOD619B
Codice Parte EBEE
E842412128
Confezione
TO-252-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
TO-252-4 MOSFETs ROHS
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5+$0.1300$ 0.6500
50+$0.1028$ 5.1400
150+$0.0892$ 13.3800
500+$0.0790$ 39.5000
2500+$0.0708$ 177.0000
5000+$0.0667$ 333.5000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaDOINGTER DOD619B
RoHS
Tipo di tipoN-Channel + P-Channel
La configurazione-
RDS (on)14mΩ@10V;20mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)67.5pF
Number1 N-Channel + 1 P-Channel
Pd - Power Dissipation40W
Drain to Source Voltage40V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V;2V
Current - Continuous Drain(Id)25A
Ciss-Input Capacitance979pF
Output Capacitance(Coss)-
Gate Charge(Qg)10nC@8V;[email protected]

Guida all’acquisto

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