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DOINGTER DOD60P03
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD60P03 |
| Codice Parte EBEE | E842395894 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1582 | $ 0.7910 |
| 50+ | $0.1243 | $ 6.2150 |
| 150+ | $0.1097 | $ 16.4550 |
| 500+ | $0.0915 | $ 45.7500 |
| 2500+ | $0.0835 | $ 208.7500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD60P03 | |
| RoHS | ||
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 7.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 342pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.15nF | |
| Gate Charge(Qg) | 84nC |
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