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DOINGTER DOD60N04
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD60N04 |
| Codice Parte EBEE | E841430589 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 40V 60A 47W 6.5mΩ@10V,30A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 5+ | $0.1022 | $ 0.5110 |
| 50+ | $0.0808 | $ 4.0400 |
| 150+ | $0.0701 | $ 10.5150 |
| 500+ | $0.0621 | $ 31.0500 |
| 2500+ | $0.0556 | $ 139.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD60N04 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 160pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 47W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
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