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DOINGTER DOD60N03
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD60N03 |
| Codice Parte EBEE | E841416021 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V 60A 33W 8.5mΩ@10V,25A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD60N03 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 14mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 145pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.12nF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
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