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DOINGTER DOD603
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD603 |
| Codice Parte EBEE | E842412130 |
| Confezione | TO-252-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252-4 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1220 | $ 6.1000 |
| 150+ | $0.1077 | $ 16.1550 |
| 500+ | $0.0899 | $ 44.9500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD603 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel + P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 26mΩ@10V;80mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 45pF;75pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 23W;23W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V;1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 16A;18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF;1.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 52pF;90pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20.3nC@10V;37.6nC@10V |
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