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DOINGTER DOD50P02
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD50P02 |
| Codice Parte EBEE | E842395892 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1089 | $ 0.5445 |
| 50+ | $0.0861 | $ 4.3050 |
| 150+ | $0.0747 | $ 11.2050 |
| 500+ | $0.0661 | $ 33.0500 |
| 2500+ | $0.0593 | $ 148.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD50P02 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 27W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | - |
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