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DOINGTER DOD30N10
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD30N10 |
| Codice Parte EBEE | E842374604 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 5+ | $0.1363 | $ 0.6815 |
| 50+ | $0.1078 | $ 5.3900 |
| 150+ | $0.0935 | $ 14.0250 |
| 500+ | $0.0828 | $ 41.4000 |
| 2500+ | $0.0742 | $ 185.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD30N10 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 30mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 99pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.857nF | |
| Gate Charge(Qg) | 65nC@10V |
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