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DOINGTER DOD30100
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD30100 |
| Codice Parte EBEE | E842374607 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.0763 | $ 3.8150 |
| 150+ | $0.0662 | $ 9.9300 |
| 500+ | $0.0586 | $ 29.3000 |
| 2500+ | $0.0526 | $ 131.5000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD30100 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 4mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 177pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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