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DOINGTER DOD23P04
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD23P04 |
| Codice Parte EBEE | E841416022 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 40V 23A 40mΩ@10V,10A 34.7W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 5+ | $0.0880 | $ 0.4400 |
| 50+ | $0.0715 | $ 3.5750 |
| 150+ | $0.0633 | $ 9.4950 |
| 500+ | $0.0571 | $ 28.5500 |
| 2500+ | $0.0505 | $ 126.2500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD23P04 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 40mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 79.4pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 34.7W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 23A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.033nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
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