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DOINGTER DOD20P06
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD20P06 |
| Codice Parte EBEE | E841416030 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 20A 68mΩ@10V,9A 50W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0785 | $ 0.3925 |
| 50+ | $0.0688 | $ 3.4400 |
| 150+ | $0.0639 | $ 9.5850 |
| 500+ | $0.0603 | $ 30.1500 |
| 2500+ | $0.0559 | $ 139.7500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD20P06 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 68mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 560pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.961nF | |
| Gate Charge(Qg) | 82.32nC@10V |
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