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DOINGTER DOD18N20
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD18N20 |
| Codice Parte EBEE | E842395891 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD18N20 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 140mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 85W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.173nF | |
| Gate Charge(Qg) | 7.3nC@10V |
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