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DOINGTER DOD12P10


Produttore
Codice Parte Mfr.
DOD12P10
Codice Parte EBEE
E841416020
Confezione
TO-252
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
-
Descrizione
100V 12A 54W 200mΩ@10V,5A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS
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50+$0.1108$ 5.5400
150+$0.0966$ 14.4900
500+$0.0860$ 43.0000
2500+$0.0775$ 193.7500
5000+$0.0733$ 366.5000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaDOINGTER DOD12P10
RoHS
Tipo di tipoP-Channel
RDS (on)200mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)90pF
Number1 P-Channel
Pd - Power Dissipation54W
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)12A
Ciss-Input Capacitance2.5nF
Output Capacitance(Coss)170pF
Gate Charge(Qg)40nC@10V

Guida all’acquisto

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