| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD12P10 |
| Codice Parte EBEE | E841416020 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 12A 54W 200mΩ@10V,5A 3V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1390 | $ 0.6950 |
| 50+ | $0.1108 | $ 5.5400 |
| 150+ | $0.0966 | $ 14.4900 |
| 500+ | $0.0860 | $ 43.0000 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0733 | $ 366.5000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD12P10 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 200mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1390 | $ 0.6950 |
| 50+ | $0.1108 | $ 5.5400 |
| 150+ | $0.0966 | $ 14.4900 |
| 500+ | $0.0860 | $ 43.0000 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0733 | $ 366.5000 |
