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DOINGTER DOD10P10
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DOD10P10 |
| Codice Parte EBEE | E842412121 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DOD10P10 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 260mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 28.1pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.198nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 33.7pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.5nC@10V |
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