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DOINGTER DO3407BA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DO3407BA |
| Codice Parte EBEE | E841367402 |
| Confezione | SOT-23-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V 4.3A 1.51W 55mΩ@10V,4.3A 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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| 20+ | $0.0266 | $ 0.5320 |
| 200+ | $0.0207 | $ 4.1400 |
| 600+ | $0.0175 | $ 10.5000 |
| 3000+ | $0.0155 | $ 46.5000 |
| 9000+ | $0.0138 | $ 124.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DO3407BA | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 55mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 58pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.51W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12.5nC@10V |
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