| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DO3400B |
| Codice Parte EBEE | E841384543 |
| Confezione | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V 5.8A 26mΩ@10V,4.2A 1.36W 1.4V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0205 | $ 0.4100 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0120 | $ 36.0000 |
| 9000+ | $0.0106 | $ 95.4000 |
| 21000+ | $0.0099 | $ 207.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DO3400B | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 26mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 700pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0205 | $ 0.4100 |
| 200+ | $0.0160 | $ 3.2000 |
| 600+ | $0.0134 | $ 8.0400 |
| 3000+ | $0.0120 | $ 36.0000 |
| 9000+ | $0.0106 | $ 95.4000 |
| 21000+ | $0.0099 | $ 207.9000 |
