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DOINGTER DO2310DA
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DO2310DA |
| Codice Parte EBEE | E841367399 |
| Confezione | SOT-23-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 3.2A 1.7W 100mΩ@10V,3A 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
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| 200+ | $0.0141 | $ 2.8200 |
| 600+ | $0.0130 | $ 7.8000 |
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| 9000+ | $0.0112 | $ 100.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DO2310DA | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 325pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.1nC@10V |
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