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DOINGTER DC010PG-B
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | DC010PG-B |
| Codice Parte EBEE | E841367279 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 30V 50A 10mΩ@10V,20A 75W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1114 | $ 0.5570 |
| 50+ | $0.0870 | $ 4.3500 |
| 150+ | $0.0748 | $ 11.2200 |
| 500+ | $0.0657 | $ 32.8500 |
| 2500+ | $0.0583 | $ 145.7500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | DOINGTER DC010PG-B | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 285pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
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