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Agertech ATM2N65TD
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | ATM2N65TD |
| Codice Parte EBEE | E82875843 |
| Confezione | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 2A 3.9Ω@10V,1A 28W 4V@250uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1535 | $ 0.7675 |
| 50+ | $0.1232 | $ 6.1600 |
| 160+ | $0.1102 | $ 17.6320 |
| 480+ | $0.0882 | $ 42.3360 |
| 2480+ | $0.0810 | $ 200.8800 |
| 4000+ | $0.0766 | $ 306.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | Agertech ATM2N65TD | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 2A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.9Ω@10V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 28W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 9pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 370pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1535 | $ 0.7675 |
| 50+ | $0.1232 | $ 6.1600 |
| 160+ | $0.1102 | $ 17.6320 |
| 480+ | $0.0882 | $ 42.3360 |
| 2480+ | $0.0810 | $ 200.8800 |
| 4000+ | $0.0766 | $ 306.4000 |
