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A Power microelectronics AP7N65F
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP7N65F |
| Codice Parte EBEE | E83011407 |
| Confezione | TO-220F-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 7A 63W 1.35Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3L MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2686 | $ 0.2686 |
| 10+ | $0.2626 | $ 2.6260 |
| 50+ | $0.2580 | $ 12.9000 |
| 100+ | $0.2535 | $ 25.3500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP7N65F | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 32.9W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 891pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 10+ | $0.2626 | $ 2.6260 |
| 50+ | $0.2580 | $ 12.9000 |
| 100+ | $0.2535 | $ 25.3500 |
