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A Power microelectronics AP20N06BD
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP20N06BD |
| Codice Parte EBEE | E83024562 |
| Confezione | TO-252-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 20A 36mΩ@10V,15A 24W 1.2V@250uA TO-252-3L MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0621 | $ 0.0621 |
| 10+ | $0.0608 | $ 0.6080 |
| 30+ | $0.0599 | $ 1.7970 |
| 100+ | $0.0589 | $ 5.8900 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP20N06BD | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 42mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 24W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 14nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $0.0621 | $ 0.0621 |
| 10+ | $0.0608 | $ 0.6080 |
| 30+ | $0.0599 | $ 1.7970 |
| 100+ | $0.0589 | $ 5.8900 |
