| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP15N10D |
| Codice Parte EBEE | E83011367 |
| Confezione | TO-252-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 19.3A 85mΩ@10V,5A 30W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1655 | $ 0.1655 |
| 10+ | $0.1274 | $ 1.2740 |
| 30+ | $0.1111 | $ 3.3330 |
| 100+ | $0.0907 | $ 9.0700 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP15N10D | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 19.3A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 85mΩ@10V,5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 30W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF@15V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.1nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 11.9nC@50V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1655 | $ 0.1655 |
| 10+ | $0.1274 | $ 1.2740 |
| 30+ | $0.1111 | $ 3.3330 |
| 100+ | $0.0907 | $ 9.0700 |
