Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
A Power microelectronics AP10N06D
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP10N06D |
| Codice Parte EBEE | E83011321 |
| Confezione | TO-252-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 60V 13A 65mΩ@10V,10A 42W 1V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1119 | $ 0.1119 |
| 10+ | $0.0887 | $ 0.8870 |
| 30+ | $0.0772 | $ 2.3160 |
| 100+ | $0.0684 | $ 6.8400 |
| 500+ | $0.0615 | $ 30.7500 |
| 1000+ | $0.0580 | $ 58.0000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | A Power microelectronics AP10N06D | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 13A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 42W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 46pF@30V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 330pF@30V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 5.1nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1119 | $ 0.1119 |
| 10+ | $0.0887 | $ 0.8870 |
| 30+ | $0.0772 | $ 2.3160 |
| 100+ | $0.0684 | $ 6.8400 |
| 500+ | $0.0615 | $ 30.7500 |
| 1000+ | $0.0580 | $ 58.0000 |
