| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MUN5235DW1T1G |
| Référence EBEE | E869827 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | [email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0368 | $ 3.6800 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 3000+ | $0.0288 | $ 86.4000 |
| 6000+ | $0.0261 | $ 156.6000 |
| 9000+ | $0.0247 | $ 222.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Fiche Technique | onsemi MUN5235DW1T1G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | NPN | |
| Résisteur d'entrée | 2.9kΩ | |
| Rapport de résistance | 0.047 | |
| Tension d'entrée (VI(on)-Ic,Vce) | 800mV | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN (Pre-Biased) | |
| Pd - Power Dissipation | 187mW | |
| DC Current Gain | 80 | |
| Current - Collector Cutoff | 100nA | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 250mV | |
| Output Voltage(VO(on)) | 200mV | |
| Voltage - Input(Max)(VI(off)) | 600mV |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0459 | $ 0.4590 |
| 100+ | $0.0368 | $ 3.6800 |
| 300+ | $0.0322 | $ 9.6600 |
| 3000+ | $0.0288 | $ 86.4000 |
| 6000+ | $0.0261 | $ 156.6000 |
| 9000+ | $0.0247 | $ 222.3000 |
