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Diodes Incorporated DDA113TU-7-F


Fabricant
Référence Fabricant
DDA113TU-7-F
Référence EBEE
E8460022
Boîtier
SOT-363
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100@1mA,5V 200mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
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TypeDescription
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CatégorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Fiche TechniqueDIODES DDA113TU-7-F
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
TypeNPN+PNP
Résisteur d'entrée1kΩ
Rapport de résistance-
Tension d'entrée (VI(on)-Ic,Vce)-
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 PNP Pre-Biased Transistors
Pd - Power Dissipation200mW
DC Current Gain100
Current - Collector Cutoff0.5uA
Emitter-Base Voltage VEBO5V
Transition frequency(fT)250MHz
Output Voltage(VO(on))300mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.9V

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