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onsemi MUN5211DW1T1G


Fabricant
Référence Fabricant
MUN5211DW1T1G
Référence EBEE
E8152507
Boîtier
SOT-363
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
10+$0.0707$ 0.7070
100+$0.0600$ 6.0000
300+$0.0546$ 16.3800
3000+$0.0457$ 137.1000
6000+$0.0425$ 255.0000
9000+$0.0409$ 368.1000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Fiche Techniqueonsemi MUN5211DW1T1G
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
TypeNPN
Résisteur d'entrée13kΩ
Rapport de résistance1
Tension d'entrée (VI(on)-Ic,Vce)2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation256mW
DC Current Gain35
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.2V

Guide d’achat

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