Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi MMBFJ177LT1G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MMBFJ177LT1G |
| Référence EBEE | E8106763 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 225mW 1.5mA@15V P-channel 300Ω 30V SOT-23 JFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock: 181874
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 0.1331
Prix total
$ 0.1331
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1331 | $ 0.1331 |
| 10+ | $0.1081 | $ 1.0810 |
| 30+ | $0.0953 | $ 2.8590 |
| 100+ | $0.0848 | $ 8.4800 |
| 500+ | $0.0811 | $ 40.5500 |
| 1000+ | $0.0785 | $ 78.5000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,JFETs | |
| Fiche Technique | onsemi MMBFJ177LT1G | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11pF@10V | |
| Total Device Dissipation (Pd) | 225mW | |
| Drain Current (Idss@Vds,Vgs=0) | 1.5mA@15V | |
| FET Type | P-channel | |
| Static Drain-Source On Resistance (RDS(on)) | 300Ω | |
| Gate-Source Breakdown Voltage (V(BR)GSS) | 30V | |
| Gate-Source Cutoff Voltage (VGS(off)@ID) | 800mV@10nA |
Guide d’achat
Développer
En stock: 181874
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 0.1331
Prix total
$ 0.1331
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1331 | $ 0.1331 |
| 10+ | $0.1081 | $ 1.0810 |
| 30+ | $0.0953 | $ 2.8590 |
| 100+ | $0.0848 | $ 8.4800 |
| 500+ | $0.0811 | $ 40.5500 |
| 1000+ | $0.0785 | $ 78.5000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
