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STMicroelectronics STS8DN6LF6AG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STS8DN6LF6AG |
| Código de Pieza EBEE | E8155609 |
| Paquete | SOIC-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 8A 24mΩ@10V,4A 3.2W 2.5V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | ST STS8DN6LF6AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 8A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 24mΩ@10V,4A | |
| Disipación de energía (Pd) | 3.2W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 1.34nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 27nC@10V |
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|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
