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Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | BSS8402DWQ-7 |
| Código de Pieza EBEE | E8460013 |
| Paquete | SOT-363 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 60V 115mA 200mW 3.2Ω@5V,0.05A 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | DIODES BSS8402DWQ-7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | N-Channel + P-Channel | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 2pF;12pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V;50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V;2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA;130mA | |
| Output Capacitance(Coss) | 11pF;25pF |
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