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Diodes Incorporated ZXMN3G32DN8TA
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | ZXMN3G32DN8TA |
| Código de Pieza EBEE | E8151582 |
| Paquete | SO-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 7.1A 0.028Ω@10V,7.1A 1.25W 1V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | DIODES ZXMN3G32DN8TA | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | N-Channel | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Output Capacitance(Coss) | 178pF |
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