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STMicroelectronics STS8DN3LLH5
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | STS8DN3LLH5 |
| Código de Pieza EBEE | E82970954 |
| Paquete | SOIC-8 |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 10A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 2.7W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 1V@250uA | |
| Transferencia Reversacita Capacitance (Crss-Vds) | 21pF@25V | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 724pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 5.4nC@15V |
Guía de compra
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
