| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM50HM65FT3G |
| Código de Pieza EBEE | E817597502 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 500V 51A 78mΩ@10V,25.5A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 4 N-channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 51A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 78mΩ@10V,25.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 390W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 7nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 140nC@10V |
Por favor envíe una RFQ, responderemos de inmediato.
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $352.7571 | $ 352.7571 |
| 200+ | $140.7538 | $ 28150.7600 |
| 500+ | $136.0490 | $ 68024.5000 |
| 1000+ | $133.7253 | $ 133725.3000 |
