| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM50AM35FTG |
| Código de Pieza EBEE | E817630282 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 500V 99A 781W 39mΩ@10V,49.5A 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 500V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 99A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 39mΩ@10V,49.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 781W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@5mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 14nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $594.5621 | $ 594.5621 |
| 200+ | $237.2344 | $ 47446.8800 |
| 500+ | $229.3071 | $ 114653.5500 |
| 1000+ | $225.3897 | $ 225389.7000 |
