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Microchip Tech APTM20DUM05G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM20DUM05G |
| Código de Pieza EBEE | E85569628 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 317A 1.136kW 6mΩ@10V,158.5A 3V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTM20DUM05G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 317A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6mΩ@10V,158.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.136kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 3V@10mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 27.4nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 448nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $843.0783 | $ 843.0783 |
| 200+ | $336.3935 | $ 67278.7000 |
| 500+ | $325.1539 | $ 162576.9500 |
| 1000+ | $319.5985 | $ 319598.5000 |
