| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM20AM10FTG |
| Código de Pieza EBEE | E817493830 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 200V 175A 694W 12mΩ@10V,87.5A 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $336.7475 | $ 336.7475 |
| 200+ | $134.3646 | $ 26872.9200 |
| 500+ | $129.8758 | $ 64937.9000 |
| 1000+ | $127.6567 | $ 127656.7000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 200V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 175A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 12mΩ@10V,87.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 694W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@5mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 13.7nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 224nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $336.7475 | $ 336.7475 |
| 200+ | $134.3646 | $ 26872.9200 |
| 500+ | $129.8758 | $ 64937.9000 |
| 1000+ | $127.6567 | $ 127656.7000 |
