| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM120A20SG |
| Código de Pieza EBEE | E817572026 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1.2kV 50A 240mΩ@10V,25A 1.25kW 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.3478 | $ 1016.3478 |
| 200+ | $405.5306 | $ 81106.1200 |
| 500+ | $391.9789 | $ 195989.4500 |
| 1000+ | $385.2831 | $ 385283.1000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1.2kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 50A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 240mΩ@10V,25A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@6mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 600nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $1,016.3478 | $ 1016.3478 |
| 200+ | $405.5306 | $ 81106.1200 |
| 500+ | $391.9789 | $ 195989.4500 |
| 1000+ | $385.2831 | $ 385283.1000 |
