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Microchip Tech APTM10DUM02G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM10DUM02G |
| Código de Pieza EBEE | E817542892 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 100V 495A 2.5mΩ@10V,200A 1.25kW 4V@10mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $976.9815 | $ 976.9815 |
| 200+ | $389.8224 | $ 77964.4800 |
| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 495A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5mΩ@10V,200A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 4V@10mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 40nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 1.36uC@10V |
Guía de compra
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| 500+ | $376.7967 | $ 188398.3500 |
| 1000+ | $370.3588 | $ 370358.8000 |
