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Microchip Tech APTM100H35FT3G
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM100H35FT3G |
| Código de Pieza EBEE | E817426965 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $372.9141 | $ 372.9141 |
| 200+ | $148.7960 | $ 29759.2000 |
| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 4 N-channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 22A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| Disipación de energía (Pd) | 390W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 5.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 186nC@10V |
Guía de compra
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| 500+ | $143.8230 | $ 71911.5000 |
| 1000+ | $141.3670 | $ 141367.0000 |
