| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM100A18FTG |
| Código de Pieza EBEE | E817274170 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1kV 43A 210mΩ@10V,21.5A 780W 5V@5mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 43A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,21.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 780W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@5mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 10.4nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 372nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $713.0860 | $ 713.0860 |
| 200+ | $284.5262 | $ 56905.2400 |
| 500+ | $275.0191 | $ 137509.5500 |
| 1000+ | $270.3212 | $ 270321.2000 |
