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Microchip Tech APTM100A13DG
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTM100A13DG |
| Código de Pieza EBEE | E817570354 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
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Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 2 N-Channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 1kV | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 65A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| Disipación de energía (Pd) | 1.25kW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | 5V@6mA | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 15.2nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 562nC@10V |
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| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
