| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | APTC60HM70RT3G |
| Código de Pieza EBEE | E817647141 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 600V 39A 250W 70mΩ@10V,39A [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| Hoja de Datos | MICROCHIP APTC60HM70RT3G | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo | 4 N-channel | |
| Configuración | Half Bridge | |
| Drenin Source Voltage (Vdss) | 600V | |
| Corriente de drenaje continuo (Id) | 39A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 70mΩ@10V,39A | |
| Disipación de energía (Pd) | 250W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs (th).Id) | [email protected] | |
| Capacitación de entradas (Ciss-Vds) | 7nF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg-Vgs) | 259nC@10V |
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| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $316.2492 | $ 316.2492 |
| 200+ | $126.1865 | $ 25237.3000 |
| 500+ | $121.9695 | $ 60984.7500 |
| 1000+ | $119.8861 | $ 119886.1000 |
