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Infineon Technologies FP10R12W1T4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FP10R12W1T4 |
| Código de Pieza EBEE | E8541162 |
| Paquete | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Hoja de Datos | Infineon FP10R12W1T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 20A | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@10A,15V | |
| Td(off) | 180ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.024nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 550uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 900uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 600pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A |
Guía de compra
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