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Infineon Technologies FF200R12KT4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FF200R12KT4 |
| Código de Pieza EBEE | E8541002 |
| Paquete | Screw Terminals |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 1.1kW 320A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Hoja de Datos | Infineon FF200R12KT4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 320A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.75V@200A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | 160ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 14mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 10mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.4nF@25V |
Guía de compra
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