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Infineon Technologies FF200R12KS4
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | FF200R12KS4 |
| Código de Pieza EBEE | E8540999 |
| Paquete | Screw Terminals |
| Número de Cliente | |
| Hoja de Datos | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Hoja de Datos | Infineon FF200R12KS4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+125℃ | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 4.5V@8mA | |
| Current - Collector(Ic) | 275A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.85V@200A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.85nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 12mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 19mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 400A |
Guía de compra
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