Recommonended For You
Las imágenes son solo para referencia
Añadir a Favoritos
Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27
| Fabricante | |
| Código de Pieza del Fabricante | F3L25R12W1T4B27 |
| Código de Pieza EBEE | E83190223 |
| Paquete | - |
| Número de Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descripción | 215W 45A 1.2kV IGBT Transistors / Modules ROHS |
¡Estos materiales soportan cables personalizados!
Saber más >>1 En Stock para Envío Rápido
1 disponible para envío inmediatoPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.3856 | $ 39.3856 |
| 10+ | $38.0326 | $ 380.3260 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
Recomendado Para Ti
Especificaciones
2768productos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descripción | Seleccionar Todo |
|---|---|---|
| Categoría | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Colector-Emiter Breakdown Voltage (Vces) | 1.2kV | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge (Vge (th) .Ic) | 2.25V@15V,25A | |
| Current - Collector(Ic) | 45A | |
| Pd - Power Dissipation | 215W | |
| IGBT Type | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF@25V |
Guía de compra
Expandir
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shippingPuede Enviarse en 1-2 Días Hábiles
Unidad de Venta: PieceBolsa Completa: 200
| Cant. | Precio Unitario | Precio Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.3856 | $ 39.3856 |
| 10+ | $38.0326 | $ 380.3260 |
¿Mejor precio para mayor cantidad?
$
