MOSFETs

Die Ergebnisse von MOSFETs2

Hersteller

  • HGSEMI

Gehäuse

  • SOP-8

Gain Bandwidth Product(GBP)

  • -55℃~+150℃

Rated Voltage

  • 1 Piece P-Channel
  • 2 P-Channel

Continuous Drain Current (Id)

  • 30V

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

  • 5.3A
  • 4.9A

Power Dissipation (Pd)

  • 50mΩ@10V,5.3A
  • 53mΩ@10V,4.9A

Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

  • 800mW
  • 2.5W

Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

  • 1V@250uA
  • 1.5V@250uA

Input Capacitance (Ciss@Vds)

  • 60pF@15V
  • 190pF@15V

Total Gate Charge (Qg@Vgs)

  • 1.12nF@15V
  • 625pF@0V

Collector Cut-Off Current (Icbo)

  • 40nC@10V
  • 16nC@10V
Ergebnisse:2
  • 1
Bilder
Preise
Menge
Verfügbarkeit
Herst.-Teilenr.
eBee Part#
Manufacturer
Product Name
Description
RoHS
Gehäuse
Verpackung
Bilder
Preise
Menge
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Herst.-Teilenr.
EBEE-Teilenr.
Hersteller
Produktname
Beschreibung
RoHS
Gehäuse
Verpackung
5+
$0.0930
50+
$0.0910
150+
$0.0897
500+
$0.0883
Min.: 5
Mult.: 5
-
HG4953M/TRE82926380HGSEMIHGSEMI HG4953M/TR
-
-
SOP-8Tape & Reel (TR)
5+
$0.1199
50+
$0.0986
150+
$0.0880
500+
$0.0799
Min.: 5
Mult.: 5
-
HG9435M/TRE82926381HGSEMIHGSEMI HG9435M/TR
-
-
SOP-8Tape & Reel (TR)
  • 1