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HGSEMI HG4953M/TR
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HG4953M/TR |
| EBEE-Teilenummer | E82926380 |
| Gehäuse | SOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 4.9A 53mΩ@10V,4.9A 800mW 1.5V@250uA 2 P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0930 | $ 0.4650 |
| 50+ | $0.0910 | $ 4.5500 |
| 150+ | $0.0897 | $ 13.4550 |
| 500+ | $0.0883 | $ 44.1500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HGSEMI HG4953M/TR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | 2 P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.9A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 53mΩ@10V,4.9A | |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@15V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 625pF@0V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $0.0883 | $ 44.1500 |
