| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HG9435M/TR |
| EBEE-Teilenummer | E82926381 |
| Gehäuse | SOP-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 2.5W 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1199 | $ 0.5995 |
| 50+ | $0.0986 | $ 4.9300 |
| 150+ | $0.0880 | $ 13.2000 |
| 500+ | $0.0799 | $ 39.9500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
| 5000+ | $0.0618 | $ 309.0000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Datenblatt | HGSEMI HG9435M/TR | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 50mΩ@10V,5.3A | |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 190pF@15V | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.12nF@15V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 40nC@10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1199 | $ 0.5995 |
| 50+ | $0.0986 | $ 4.9300 |
| 150+ | $0.0880 | $ 13.2000 |
| 500+ | $0.0799 | $ 39.9500 |
| 2500+ | $0.0650 | $ 162.5000 |
| 5000+ | $0.0618 | $ 309.0000 |
