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YFW YFW3N10MI
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YFW3N10MI |
| EBEE-Teilenummer | E841433778 |
| Gehäuse | SOT-23-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $0.0581 | $ 5.8100 |
| 300+ | $0.0513 | $ 15.3900 |
| 3000+ | $0.0470 | $ 141.0000 |
| 6000+ | $0.0429 | $ 257.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | YFW YFW3N10MI | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 110mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 690pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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