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GOFORD GC20N65QD
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | GC20N65QD |
| EBEE-Teilenummer | E819673804 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 650V 20A 164mΩ@10V 5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4325 | $ 1.4325 |
| 10+ | $1.2196 | $ 12.1960 |
| 30+ | $1.0362 | $ 31.0860 |
| 90+ | $0.9002 | $ 81.0180 |
| 360+ | $0.8387 | $ 301.9320 |
| 1080+ | $0.8118 | $ 876.7440 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | GOFORD GC20N65QD | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 190mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 151W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.729nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 41pF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 10+ | $1.2196 | $ 12.1960 |
| 30+ | $1.0362 | $ 31.0860 |
| 90+ | $0.9002 | $ 81.0180 |
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