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YFW YFW10N06MSI
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | YFW10N06MSI |
| EBEE-Teilenummer | E841433809 |
| Gehäuse | SOT-223 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | SOT-223 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1102 | $ 0.5510 |
| 50+ | $0.0868 | $ 4.3400 |
| 150+ | $0.0751 | $ 11.2650 |
| 500+ | $0.0664 | $ 33.2000 |
| 3000+ | $0.0608 | $ 182.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | YFW YFW10N06MSI | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 35mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 46pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 31.3W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.027nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $0.0868 | $ 4.3400 |
| 150+ | $0.0751 | $ 11.2650 |
| 500+ | $0.0664 | $ 33.2000 |
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